Hidlydd Pŵer Hybrid
Hybrid active filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99%). Yn ogystal â gwneud iawn am harmonigau yn ddeinamig, gall cynhyrchion APF hefyd wneud iawn am bŵer adweithiol, gan fynd i'r afael â materion ansawdd pŵer megis amrywiadau foltedd a chryndod. Mae cynhyrchion APF yn defnyddio cyflwr{4}}technoleg rheoli celf ar gyfer rheolaeth gwbl awtomataidd, gan eu gwneud y dewis gorau ar gyfer dileu harmonig.
Disgrifiad Cynnyrch
Mae SiC Active Harmonic Filter yn ddyfais dileu harmonig cwbl ddigidol cenhedlaeth nesaf a ddatblygwyd yn fewnol gennym ni. O'i gymharu â thechnoleg draddodiadol, mae'n cynnig manteision amlwg megis amser ymateb cyflymach, maint cryno, gwell ymarferoldeb, gosod a chynnal a chadw hawdd, a chomisiynu syml. Gall fynd i'r afael yn effeithiol â phroblemau ansawdd pŵer yn rhwydd. Mae APF yn gwneud iawn am harmonig yn ddeinamig, gan fynd i'r afael yn effeithiol â phroblemau megis ffactor pŵer isel a diffyg cydbwysedd mewn ansawdd pŵer mewn tri chyfnod.
Mae'r brif ddyfais pŵer yn mabwysiadu cydran lled-ddargludyddion y genhedlaeth nesaf, SiC Mosfet, sy'n cynnig amlder newid sy'n fwy na 100kHz, dwysedd pŵer uchel, colled isel, ac effeithlonrwydd uchel, gyda chyfradd hidlo harmonig o hyd at 97%. Mae'n cefnogi dulliau iawndal lluosog, gan gynnwys harmonig, pŵer adweithiol, ac anghydbwysedd tri chyfnod. Mae'r PCBA wedi'i selio'n llawn, gan sicrhau amddiffyniad rhag llwch, anwedd a chwistrell halen. Mae'r ddyfais yn cynnig opsiynau gosod hyblyg (-wedi'i osod yn y cabinet neu wedi'i osod ar y wal), ac mae'r gwaith cynnal a chadw yn syml.
Nodweddion Cynnyrch
Taflen Ddata
| Paramedrau trydanol | |
| Dull gwifrau | Gwifren tair -cam tri -gwifren tair-cam pedwar- |
| Foltedd gweithredu | 380V/220V±20% |
| Amledd gweithredu | 50/60Hz, ±10% |
| Manylebau cynnyrch | 30A, 50A, 75A, 100A,150A |
| Manylebau trawsnewidyddion cyfredol | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Swn | ＜65dB |
| Nodweddion technegol | |
| Newid dyfeisiau | SiC Mosfet |
| Amlder newid | >100kHz |
| Dulliau afradu gwres | Oeri aer deallus |
| Rheoli afradu gwres | Addasiad cyflymder ffan addasol |
| Swyddogaethau amddiffyn | Amddiffyniad gorlif allbwn, amddiffyniad cyfyngu cerrynt allbwn, gor-amddiffyniad tymheredd, amddiffyniad gor-foltedd bws DC, amddiffyniad tan-foltedd mewnbwn AC, amddiffyniad gorfoltedd mewnbwn AC, amddiffyniad rhag diffygion y system reoli, difrod i'r prif gydrannau cylched ac amddiffyniad datgysylltu |
| Perfformiad iawndal | |
| Cyfradd hidlo harmonig | ＞97% |
| Effeithlonrwydd cyffredinol | Mwy na neu'n hafal i 99% |
| Colli pŵer gweithredol | ＜1% |
| Ystod hidlo harmonig | Gellir rheoli a ffurfweddu harmonig o'r 2il i'r 50fed yn unigol. |
| Cyfanswm yr amser ymateb | ＜5ms |
| Ataliad cyseiniant | Ataliad gweithredol |
| Rhyngwyneb Arddangos | |
| Sgrin arddangos | Sgrin gyffwrdd lliw-llawn 7-troedfedd |
| Iaith | Tsieinëeg, Saesneg, ac ieithoedd y gellir eu haddasu. |
| Arddangosfa batri | Yn arddangos data gan gynnwys cyfradd ystumio, ffactor pŵer, pŵer, foltedd, a cherrynt. |
| Rhyngwyneb cyfathrebu a math o brotocol | RS485, TCP/IP, protocolau Modbus, a throsglwyddo data pellter hir 4G. |
| Amodau amgylcheddol | |
| Tymheredd gweithredu | -25 gradd ~+50 gradd |
| Lleithder cymharol | <95%, no condensation |
| Uchder | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Eraill | |
| Lefel amddiffyn | Sgôr IP20, graddfeydd eraill ar gael ar gais. |
| Dull gosod | Rac{0}}mount, wal-mount, ffurfweddau cabinet integredig. |
Q&A
Beth yw manteision craidd carbid silicon (SiC)?
Mae silicon carbid yn lled-ddargludydd bandgap eang gyda phriodweddau deunydd uwchraddol o'i gymharu â silicon. Ar gyfer AHF, mae hyn yn golygu tair mantais allweddol sy'n effeithio'n uniongyrchol ar reolaeth thermol:
1. Amlder newid uwch:Mae SiC MOSFETs yn newid yn gynt o lawer nag IGBTs. Mae hyn yn caniatáu ar gyfer ail-greu'r cerrynt gwrth-harmonig yn fwy cywir, gan wella perfformiad, yn enwedig mewn harmonig uwch.
2. Colledion newid is:Mae hyn yn cael yr effaith fwyaf ar afradu gwres. Mae nodweddion newid cyflym dyfeisiau SiC yn arwain at lai o wres yn cael ei gynhyrchu fesul newid switsh.
3. Tymheredd gweithredu uwch:Yn ddamcaniaethol, gall lled-ddargludyddion SiC weithredu ar dymheredd cyffordd hyd at 200 gradd neu uwch, tra bod y terfyn tymheredd gweithredu nodweddiadol ar gyfer IGBTs silicon yn 150 gradd. Mae hyn yn rhoi mwy o ymyl diogelwch.
Tagiau poblogaidd: hidlydd pŵer hybrid, gweithgynhyrchwyr hidlydd pŵer hybrid Tsieina, cyflenwyr, ffatri
Anfon ymchwiliad
